在2010年10月19～21日于東京舉行的研討會(huì)“Nature Photonics Technology Conference”上京瓷發(fā)表了有關(guān)演講，公布了有關(guān)薄膜硅太陽(yáng)能電池的研發(fā)情況。面積為1cm2的電池單元，穩(wěn)定前的轉(zhuǎn)換效率已達(dá)到13.8％。

　　實(shí)現(xiàn)13.8％轉(zhuǎn)換效率的是疊加非晶硅層和微晶硅層的串聯(lián)構(gòu)造的薄膜硅太陽(yáng)能電池。京瓷在其中微晶硅層的形成方面，采用了稱為Cat-PECVD的方法。

　　普通的PECVD方法是將SiH4和H2同時(shí)放入反應(yīng)室中。而京瓷則是將加熱到1800℃的鎢（W）絲和鉭（Ta）絲等作為觸媒（Catalyzer）分解H2，然后再導(dǎo)入反應(yīng)室中。這樣，就可形成高品質(zhì)的微晶硅。

　　采用Cat-PECVD方法時(shí)的微晶硅層的成膜速度為1.6nm/秒。在普通的PECVD方法中，該成膜速度下形成的薄膜硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率在11％上下。想要在普通的PECVD方法下使轉(zhuǎn)換效率提高到13.8％，就需要將成膜速度降至0.9nm/秒左右。今后，京瓷將以解決大面積化等課題為目標(biāo)推進(jìn)研發(fā)。